原裝BEHLKE HTS 800-100高壓開關(guān)

Behlke 產(chǎn)品組C4 - 溝槽FET，可變導(dǎo)通時(shí)間，高電流，低電阻

1）HTS 71-13-BC，緊湊型系列。新的TRENCH FET技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻。7.8 kVDC，130 A pk，<1 Ohm，tr <10 ns。尺寸79 x 38 x 17 mm 

2）HTS 61-23-B，新的溝槽FET，具有低導(dǎo)通電阻和高峰值電流。帶可選銅散熱片（選件CF）。6.5 kVDC，230 A pk，Ron <0.4 Ohm，tr <15ns  

3）HTS 231-52-B，新的Trench FET技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高峰值電流。23 kV，520 A，<0.7 Ohm，tr <20 ns。使用選件CF-X2（散熱片X2）和C-DR（驅(qū)動(dòng)器散熱）   
  

 HTS 31-GSM推挽式開關(guān)由兩部分組成交替控制的固態(tài)開關(guān)轉(zhuǎn)向由大量MOSFET組成平行并且串聯(lián)。 HTS 31-GSM擁有全部*的HTS系列的優(yōu)點(diǎn)開關(guān)，例如控制簡(jiǎn)單，電流高隔離，精確切換特性，高可靠性，長(zhǎng)壽命和小尺寸。 push-pul這里描述的開關(guān)可以首先用于產(chǎn)生高邊緣的真正方波脈沖主要是電容性或電阻性的陡度加載。帶推挽式開關(guān)的發(fā)電機(jī)解決方案與單開關(guān)相比具有明顯的優(yōu)勢(shì)關(guān)于功耗和工作電阻脈沖下垂。特別是超大的儲(chǔ)能電容器和強(qiáng)大的高壓電源可以在純電容的情況下可以省去裝載，因?yàn)椴恍枰峁┱嬲碾娏φ麄€(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間，就像*的數(shù)字CMOS-ICS具有可觀的功耗僅在較高頻率下出現(xiàn)。興衰開關(guān)輸出的時(shí)間幾乎相同并且一次有可能產(chǎn)生極其精確的高壓方波脈沖僅使用一個(gè)組件，具有成本效益。 HTS31-GSM配備了抗噪聲控制電路，確保始終正確的時(shí)間內(nèi)部開關(guān)元件甚至多困難的操作條件。通過監(jiān)視和調(diào)節(jié)輸入信號(hào)不能發(fā)生不飽和的轉(zhuǎn)換。一個(gè)內(nèi)置的具有自動(dòng)復(fù)位功能的thermotrigger提供防止中長(zhǎng)期過熱。

Behlke 產(chǎn)品組C5 - MOSFET，可變導(dǎo)通時(shí)間，雙極性，用于交流和直流電壓

1 ）HTS 61-01-AC-C，用于交流，直流和雙極直流電壓的MOSFET開關(guān)。緊湊型系列。尺寸79 x 38 x 17毫米。6 kVAC（pk）/ 15 A（pk）。  

2）HTS 131-26-AC-B，用于交流，直流和雙極直流電壓的溝槽FET開關(guān)。帶可選銅散熱片（選件CF）和屏蔽輸入（選件LS-C）。13 kVAC（pk）/ 260 A（pk）。  

3）HTS 231-26-AC-B，溝槽FET開關(guān)，用于交流，直流和雙極直流電壓。帶可選銅散熱片（選件CF）和屏蔽輸入（選件LS-C）。23 kVAC（pk）/ 260 A（pk）。

4）  各種MOSFET交流開關(guān)，30至70 kV / 100 A，帶管狀外殼（選件TH）和直接液冷（選件DLC）。    

Behlke 產(chǎn)品組C6 - 具有可變導(dǎo)通時(shí)間，高電流的IGBT開關(guān)

1）HTS 61-160-FI，快速IGBT開關(guān)?？勺儗?dǎo)通時(shí)間200ns至無限。帶有用于控制連接的尾纖（選件PT-C）。6 kV，1600 A.導(dǎo)通上升時(shí)間<90 ns @Ip（大值）。關(guān)斷上升時(shí)間<0.8μs。 

2）HTS 101-120-SI，標(biāo)準(zhǔn)IGBT開關(guān)?？勺儗?dǎo)通時(shí)間1μs至無限。10 kV，1200 A pk。開啟上升時(shí)間<150 ns @ Ip（大值）。關(guān)斷上升時(shí)間<5μs 。

3）HTS 241-240-SI，標(biāo)準(zhǔn)IGBT開關(guān)。可變導(dǎo)通時(shí)間200 ns至無限。帶有可選的散熱片（選件CF）和法蘭外殼（選件FH）。24 kV，2400 A pk。上升時(shí)間<150 ns @ Ip（大值）。 
  

Behlke 產(chǎn)品組C7-MCT開關(guān)具有可變導(dǎo)通時(shí)間，高電流

1）HTS 61-300-MCT，可變導(dǎo)通時(shí)間的晶閘管開關(guān)。6 kVDC，導(dǎo)通電流3 kA，關(guān)斷電流100 A.導(dǎo)通上升時(shí)間200 ns，關(guān)斷上升時(shí)間1.5μs。

2）HTS 101-300-MCT，可變導(dǎo)通時(shí)間的晶閘管開關(guān)。10 kVDC，導(dǎo)通電流3 kA，關(guān)斷電流100 A.導(dǎo)通上升時(shí)間200 ns，關(guān)斷上升時(shí)間1.5μs。

3）HTS 181-300-MCT，可變導(dǎo)通時(shí)間的晶閘管開關(guān)。18 kVDC，導(dǎo)通電流3 kA，關(guān)斷電流100 A.導(dǎo)通上升時(shí)間200 ns，關(guān)斷上升時(shí)間1.5μs。  
 

Behlke 產(chǎn)品組C8 - 推挽式配置的MOSFET開關(guān)（半橋）

1）HTS 61-01-HB-C，MOSFET推挽式開關(guān)。緊湊型系列。尺寸79 x 38 x 17毫米?？勺僅V脈沖寬度從50 ns到無窮大。2 x 6 kV，15 A.上升和下降時(shí)間<8ns。  

2）  HTS 81-06-GSM，MOSFET推挽式開關(guān)采用經(jīng)濟(jì)高效的塑料外殼。底部的HV接頭。可變HV脈沖寬度從150 ns到無窮大。2 x 8 kV，60 A.上升和下降時(shí)間<7ns。

3）HTS 201-03-GSM，MOSFET推挽式開關(guān)，帶有可選的散熱片（CF）和阻燃外殼，符合UL94-V0（選件UL94）。 2 x 20 kV，30 A pk，上升和下降時(shí)間<10 ns 

4）HTS 301-03-GSM ，MOSFET推挽式開關(guān)，帶選件FH（法蘭外殼），DLC（直接液冷），C-DR（驅(qū)動(dòng)器冷卻）和HFS（高頻開關(guān)）。2 x 30 kV，30 A 
     上升和下降時(shí)間<20 ns，重復(fù)率> 100 kHz。采用DLC冷卻，大功耗可達(dá)6 kW。尺寸330x120x75 mm。

5）HTS 1501-10-GSM， MOSFET推挽式開關(guān)，帶選件FH（法蘭外殼）和DLC（直接液冷）。2 x 150 kV，100 A.上升和下降時(shí)間<90 ns。

6）HTS 61-03-HB-C， MOSFET推挽式開關(guān)。緊湊型系列，帶選件GCF（接地冷卻法蘭）?？勺兠}沖寬度從75 ns到無窮大。2 x 6 kV，30 A.上升和下降時(shí)間<6 ns。  

原裝BEHLKE HTS 800-100高壓開關(guān)